檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "氧".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="閘極氧化層"
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本研究使用金屬鈦(Ti)、金屬鋁(Al)與氧化銦(In2O3)粉末組成三種不同配方之靶材,利用射頻磁控濺鍍法於p型矽基板上製備鈦鋁銦氧(TAIO)薄膜,並在氮氣氛下以快速退火(500°C~800°C…
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本論文中分為兩個部份,第一個部份我們利用本實驗室自行架設的中空陰極化學氣相沉積(Hollow Cathode Chemical Vapor Deposition)系統,在低溫下沉積薄膜,找出最佳製程…